igbt在開通過程中，大部分時間是作為mosfet來運行的，只是在集射電壓vce下降過程后期，pnp晶體管由放大區(qū)至飽和區(qū)，增加了一段延緩時間，使vce波形被分為兩段。igbt在關(guān)斷過程中，mosfet關(guān)斷后，pnp晶體管中的存儲電荷難以迅速消除，使集電極電流波形變?yōu)閮啥?，造成集電極電流較大的拖尾時間。

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顯然，開通關(guān)斷時間的延遲會增加開關(guān)損耗，并且，每開通關(guān)斷一次損耗就會累加，如果開關(guān)頻率很高，損耗就會很大，除了降低逆變器的效率以外，損耗造成的*直接的影響就是溫度升高，這不僅會加重igbt發(fā)生擎住效應(yīng)的危險，而且，會延長集電極電流的下降時間和集射電壓的上升時間，引起關(guān)斷損耗的增加。顯然，這是一個惡性循環(huán)，因此，為igbt提供良好的散熱條件是有效利用器件，減少損耗的主要措施。除了正確安裝散熱器外，安裝風扇以增強空氣流通，可以有效的提高散熱效率。

4.4 軟開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用

軟開關(guān)技術(shù)是在電路中增加了小電感、電容等諧振元件， 在開關(guān)過程前后引入諧振， 使開關(guān)條件得以改善， 從而抑制開關(guān)過程的電壓、電流過沖，提高開關(guān)可靠性。目前， 適用于dc/dc和dc/ac變換器的軟開關(guān)技術(shù)有如下幾種

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